IT快讯网 3 月 3 日消息，今日美光科技宣布其全球首款基于 G9 工艺节点的 UFS 4.1 和 UFS 3.1 智能手机存储解决方案开始出货，为设备带来更多本地人工智能功能。这些新型存储芯片预计将在美光 1y 工艺的 LPDDR5X 芯片推出后不久应用于旗舰产品，而 LPDDR5X 芯片将于 2026 年初上市。
新型 UFS 4.1 和 UFS 3.1 移动存储芯片在硬件性能上实现了显著提升，其基于美光的 G9 工艺节点，具备更高的能效和读写速度。芯片容量将涵盖 256GB 至 1TB，适用于超薄和折叠屏智能手机。
IT快讯网注意到，除了硬件升级外，美光还通过软件优化进一步提升用户体验和人工智能任务的性能。例如，UFS 4.1 存储解决方案支持分区 UFS 技术，可提高读写效率并降低写入放大效应。数据碎片整理功能可将 UFS 设备内部的数据重定位和碎片整理效率提升 60%。此外，固定写入加速器（Pinned WriteBooster）能够将存储在写入加速器缓冲区中的数据访问速度提升高达 30%。智能延迟追踪器则通过分析延迟日志自动进行调试，这一功能也适用于 UFS 3.1 芯片，而其他功能则为 UFS 4.1 芯片独有。